Принцип дії динамічної DRAM і статичної SRAM пам'яті

між подачею номера рядка і номера стовпця, звана часом повного доступу (англ. RAS to CAS delay), затримка між подачею номера стовпця і отриманням вмісту осередку, звана часом робочого циклу (англ. CAS delay), затримка між читанням останнього осередку і подачею номера нового рядка (англ. RAS precharge). Таймінги вимірюються в, і чим менше величина цих таймингів, тим швидше працює оперативна пам'ять. Робоча частота вимірюється в, і збільшення робочої частоти пам'яті приводить до збільшення її швидкодії.

Регенерація

На відміну від статичної пам'яті типу SRAM (англ. static random access memory), яка є конструктивно складнішим і дорожчим типом пам'яті RAM і використовується в основному в кеш-пам'яті, пам'ять DRAM виготовляється на основі конденсаторів невеликої ємкості, які швидко втрачають заряд, тому інформацію доводиться оновлювати через певні періоди часу, щоб уникнути втрат даних. Цей процес називається регенерація пам’яті. Він реалізується спеціальним, встановленим на  материнській платі або на кристалі центрального процесора. Впродовж часу, званого кроком регенерації, в DRAM перезаписується цілий рядок «осередків», і через 8-64 мс оновлюються всі рядки пам'яті.

Процес регенерації пам'яті в класичному варіанті істотно «гальмує» роботу системи, оскільки в цей час обмін даними з пам'яттю неможливий. Регенерація, заснована на звичайному переборі рядків, не застосовується в сучасних типах DRAM. Існує декілька економічніших варіантів цього процесу — розширений, пакетний, розподілений; найбільш економічною є прихована регенерація.

З нових технологій регенерації можна виділити тип регенерації PASR (англ. Partial Array Self Refresh), вживаний компанією Samsung в чіпах пам'яті SDRAM з низьким рівнем енергоспоживання

Регенерація «осередків» виконується тільки в період очікування в тих банках пам'яті, в яких є дані. Паралельно з цією технологією реалізується метод TCSR (англ. Temperature Compensated Self Refresh), який призначений для регулювання швидкості процесу регенерації залежно від робочої температури.

Типи DRAM

Впродовж довгого часу розробниками створювалися різні типи пам'яті. Вони володіли різними характеристиками, в них були використані різні технічні рішення. Основною рушійною силою розвитку пам'яті був розвиток ЭВМ і центральних процесорів. Постійно було потрібне збільшення швидкодії і об'єму оперативної пам'яті.

Сторінкова пам'ять

Сторінкова пам’ять (англ. page mode DRAM PM DRAM) була одним з перших типів комп'ютерної оперативної пам'яті, що випускалася. Пам'ять такого типу випускалася на початку 90-х років, але із зростанням потужності центральних процесорів і ресурсоємкості додатків потрібно було збільшувати не тільки об'єм пам'яті, але і швидкість її роботи.

Швидка сторінкова пам'ять

Швидка сторінкова пам’ять (англ. fast page mode DRAM FPM DRAM) з'явилася в 1995 році. Принципово нових змін пам'ять не зазнала, а збільшення швидкості роботи досягалося шляхом підвищеного навантаження на апаратну частину пам'яті. Даний тип пам'яті в основному застосовувався для комп'ютерів з процесорами Intel 486 або аналогічних процесорів інших фірм. Пам'ять могла працювати на частотах 25 Мгц і 33 Мгц з часом повного доступу 70 нс і 60 нс і з часом робочого циклу 40 нс і 35 нс відповідно.

Пам'ять з вдосконаленим виходом

Але з появою процесорів Intel Pentium II пам'ять FPM DRAM виявилася абсолютно неефективною. Тому наступним кроком стала пам’ять

1 2 3 4 5 6 7 8

Схожі роботи

Реферати

Курсові

Дипломні